RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
54
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2553
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link