RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3680
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link