RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3680
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link