RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3680
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link