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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
19.4
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
54
周辺 -69% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
32
読み出し速度、GB/s
3,573.5
19.4
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
13.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
3364
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
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