Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.4

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 54

Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.6 1,308.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 32
Скорость чтения, Гб/сек

3,573.5 19.4
Скорость записи, Гб/сек

1,308.1 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

371 3364

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Kingston 9965604-008.C00G 8GB

Kingston 9965604-008.C00G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Kingston KH280C14D4/8X 8GB

Kingston KH280C14D4/8X 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB

Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB

Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM