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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
54
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
13.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
3364
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
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