RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 11.6
    テスト平均値
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 54
    周辺 -20% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 2036

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAMの比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB RAMの比較

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
メモリRAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
メモリRAM