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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
104
周辺 -189% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.3
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.0
2,404.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
36
読み出し速度、GB/s
3,192.0
9.3
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
7.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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