RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
104
Около -189% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.0
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
9.3
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1891
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link