RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 104
    Около -189% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.3 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.0 left arrow 2,404.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    104 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,192.0 left arrow 9.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,404.5 left arrow 7.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    786 left arrow 1891

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
модули RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
модули RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
модули RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
модули RAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
модули RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
модули RAM