RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
star star star star star
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 13.6
    テスト平均値
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB 考慮すべき理由
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 54
    周辺 -125% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.3 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 6.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 1764

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAMの比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
メモリRAM