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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 73
    周辺 42% 低遅延
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.1 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 73
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 14.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 7.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 1609

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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston 9965589-035.D00G 16GB
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メモリRAM
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Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
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メモリRAM
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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