RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
73
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
73
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1609
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link