RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
73
Около 42% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.1
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
73
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
14.1
Скорость записи, Гб/сек
6.0
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
1609
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link