RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
53
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
53
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2871
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link