RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
53
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
53
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2871
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5584-003.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link