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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
53
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
53
读取速度,GB/s
8.9
13.5
写入速度,GB/s
5.9
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2871
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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