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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
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Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 49
    周辺 14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 10.3
    テスト平均値
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 10.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 2230

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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Kingston KKRVFX-MIE 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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