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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
49
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.6
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
49
读取速度,GB/s
10.6
10.3
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2230
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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