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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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考慮すべき理由
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
71
周辺 -154% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
23.6
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
18.6
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
28
読み出し速度、GB/s
2,831.6
23.6
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
18.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
4114
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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