RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
23.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4114
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link