RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston KHX2133C14/16G 16GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

総合得点
star star star star star
Kingston KHX2133C14/16G 16GB

Kingston KHX2133C14/16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.7
    テスト平均値
Kingston KHX2133C14/16G 16GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 71
    周辺 -115% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.2 left arrow 1,322.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    71 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    2,831.6 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,322.6 left arrow 10.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    399 left arrow 2871

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Kingston KHX2133C14/16G 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
メモリRAM