RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 19.1
    テスト平均値
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 71
    周辺 -154% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 1,322.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    71 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    2,831.6 left arrow 19.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,322.6 left arrow 16.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    399 left arrow 3562

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB RAMの比較

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
メモリRAM