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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 35
    周辺 -40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 3377

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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9965589-037.D00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston 9905700-013.A00G 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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