RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

総合得点
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 56
    周辺 38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 7.7
    テスト平均値
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 9.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 2200

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
メモリRAM