RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
56
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
9.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link