RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
56
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
9.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link