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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

総合得点
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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

総合得点
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB 考慮すべき理由
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 73
    周辺 64% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 7.5
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 73
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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