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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.7
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
29
読み出し速度、GB/s
13.8
16.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
11.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3155
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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