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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
16.4
写入速度,GB/s
8.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3155
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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