RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
比較する
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
32
周辺 16% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.3
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
32
読み出し速度、GB/s
13.8
16.3
書き込み速度、GB/秒
8.4
11.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2849
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link