RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2849
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link