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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
40
周辺 33% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
40
読み出し速度、GB/s
13.8
15.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
12.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2981
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
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