RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
比較する
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
33
周辺 18% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.4
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
33
読み出し速度、GB/s
13.8
15.0
書き込み速度、GB/秒
8.4
10.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2827
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
バグを報告する
×
Bug description
Source link