RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2827
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link