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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3198

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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston 9905598-028.A00G 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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