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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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更快的读取速度,GB/s
17.7
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
17.7
写入速度,GB/s
8.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3198
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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