RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3337

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
メモリRAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
メモリRAM