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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

Pontuação geral
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

PNY Electronics PNY 2GB Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.8 left arrow 13.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.2 left arrow 8.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.8 left arrow 17.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 13.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2274 left arrow 3337

PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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