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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
27
周辺 -8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
25
読み出し速度、GB/s
13.8
15.2
書き込み速度、GB/秒
8.4
12.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2740
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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