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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2740
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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