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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3396

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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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メモリRAM
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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