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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
17.9
写入速度,GB/s
8.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3396
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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