RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
比較する
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
27
周辺 -13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.4
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
24
読み出し速度、GB/s
13.8
19.0
書き込み速度、GB/秒
8.4
14.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3482
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link