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PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 27
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.7 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 16.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3937

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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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