RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3937
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link