RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
比較する
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
30
周辺 10% 低遅延
考慮すべき理由
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
30
読み出し速度、GB/s
13.8
17.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
13.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3454
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB RAMの比較
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link