RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

総合得点
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 14.9
    テスト平均値
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 46
    周辺 -28% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 1,852.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    5,535.6 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,852.4 left arrow 10.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 2589

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 8GB
Kllisre 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
メモリRAM