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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
54
周辺 50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
7.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
54
読み出し速度、GB/s
13.8
7.6
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
1611
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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