PNY Electronics PNY 2GB vs Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

総合得点

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

相違点仕様コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB

考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 60

周辺 55% 低遅延

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

考慮すべき理由
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

17.1 13.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.8 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 10600

周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

PNY Electronics PNY 2GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 60
読み出し速度、GB/s

13.8 17.1
書き込み速度、GB/秒

8.4 13.8
メモリ帯域幅、mbps

10600 25600

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2274 2687

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB

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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

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Kingston 9905668-002.A00G 8GB

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AMD R5316G1609U2K 8GB

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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

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Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

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G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

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Kingston 9905701-022.A00G 16GB

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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB

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Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB

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