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PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
60
左右 55% 更低的延时
需要考虑的原因
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
60
读取速度,GB/s
13.8
17.1
写入速度,GB/s
8.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2687
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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